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Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1
| Artikelnummer: | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.22 |
| 10+ | $1.991 |
| 100+ | $1.60 |
| 500+ | $1.3145 |
| 1000+ | $1.0892 |
| 2000+ | $1.0141 |
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Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ16DN25NS3GATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 62.5W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.9A (Tc) Grundproduktnummer BSZ16DN25 BSZ16DN25NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSZ16DN25NS3GATMA1 PDF - EN.pdf -
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